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硅-硅键合片

硅-硅键合片

  • 分类:产品展示
  • 发布时间:2021-05-20 08:33:15
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概要:
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当外延层厚度大于50um,硅-硅键合片具有更好的成本优势。
 
对于高压器件,例如MOSFET和IGBT来说,是可行的替代材料。
 
良好的TEM和SRP测试结果,确保硅-硅键合片的质量。

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